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學(xué)子專(zhuān)區(qū)論壇 — ADALM2000實(shí)驗(yàn)：有源混頻器

目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)的目標(biāo)是幫助理解有源混頻器的基本概念。背景知識(shí)混頻器是一種具備調(diào)制或解調(diào)功能的三端口器件，主要分為無(wú)源和有源兩種類(lèi)型?；祛l器的核心功能是在改變信號(hào)頻率的同時(shí)，保留原始信號(hào)的所有其他特性。有源混頻器與無(wú)源混頻器的關(guān)鍵區(qū)別在于，有源混頻器會(huì)采用有源器件來(lái)提供轉(zhuǎn)換增益。圖1.混頻器的符號(hào)表示如圖1所示，混頻器的輸出有兩種形式?；祛l器接收兩個(gè)不同頻率的輸入信號(hào)，輸出一個(gè)頻率信號(hào)；從圖中可見(jiàn)，輸出頻率既可以是兩個(gè)輸入頻率的和頻，也可以是兩者的差頻。這些頻率分別與如下之一對(duì)應(yīng)：本地振蕩器頻率(LO)、射頻頻
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一文讀懂巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設(shè)計(jì)

基于巨磁阻(GMR)傳感技術(shù)的真正上電多圈傳感器必將徹底改變工業(yè)和汽車(chē)用例中的位置傳感市場(chǎng)，因?yàn)榕c現(xiàn)有解決方案相比，其系統(tǒng)復(fù)雜性和維護(hù)要求更低。本文說(shuō)明了設(shè)計(jì)磁性系統(tǒng)時(shí)必須考慮的一些關(guān)鍵因素，以確保在要求嚴(yán)苛的應(yīng)用中也能可靠運(yùn)行，其中還介紹了一種磁性參考設(shè)計(jì)，方便早期采用該技術(shù)。多圈傳感器本質(zhì)上是將磁寫(xiě)入和電子讀取存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的磁性角度傳感器相結(jié)合，以提供高精度的絕對(duì)位置。如果磁場(chǎng)過(guò)高或過(guò)低，可能會(huì)出現(xiàn)磁寫(xiě)入錯(cuò)誤。在設(shè)計(jì)系統(tǒng)磁體時(shí)必須小心仔細(xì)，并考慮可能干擾傳感器的任何雜散磁場(chǎng)以及產(chǎn)品使用壽命內(nèi)的機(jī)械公差
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使用降壓-升壓穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)直通操作

本文介紹在電路的輸入電壓過(guò)高或過(guò)低而無(wú)法為負(fù)載供電時(shí)，配備PassThru?（直通）模式的特殊轉(zhuǎn)換器如何發(fā)揮作用。本文將通過(guò)示例，說(shuō)明如何使用配備直通模式的降壓-升壓穩(wěn)壓器和升壓穩(wěn)壓器來(lái)提高供電效率和改善EMC性能。掃碼了解在某些應(yīng)用中，現(xiàn)有的電源電壓可以直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，無(wú)需使用額外的電壓轉(zhuǎn)換器。有時(shí)候，當(dāng)操作狀態(tài)出現(xiàn)異常時(shí)，電源電壓可能過(guò)高或過(guò)低，無(wú)法直接為負(fù)載供電。在這些情況下，可以使用針對(duì)這種操作優(yōu)化的特殊電壓轉(zhuǎn)換器。例如，工業(yè)24 V系統(tǒng)就是這樣一種應(yīng)用。我們假設(shè)負(fù)載需要24 V電源電壓
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T1/E1/J1收發(fā)器的環(huán)回操作

本文概述了ADI T1/E1/J1收發(fā)器的環(huán)回功能。T1和E1是術(shù)語(yǔ)，用來(lái)描述通過(guò)任意介質(zhì)進(jìn)行的1.544Mbps和2.048Mbps傳輸。環(huán)回模式有助于器件或設(shè)備的診斷測(cè)試。在環(huán)回模式下，收發(fā)器將經(jīng)過(guò)網(wǎng)絡(luò)或一段特定鏈路傳送的信號(hào)由收發(fā)器的一端返送回發(fā)送設(shè)備的另外一端。將來(lái)自?xún)啥说男盘?hào)進(jìn)行比較。兩者之間的差異有助于故障的跟蹤。環(huán)回ADI T1/E1/J1收發(fā)器支持六類(lèi)環(huán)回。遠(yuǎn)端環(huán)回(RLB)本地環(huán)回(LLB)成幀器環(huán)回(FLB)診斷環(huán)回(DLB)凈荷環(huán)回(PLB)按通道環(huán)回(PCLB)遠(yuǎn)端環(huán)回(RLB)這
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在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來(lái)，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對(duì)GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對(duì)各種GaN器件進(jìn)行準(zhǔn)確仿真以?xún)?yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對(duì)GaN FET驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化。借助
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MIMO收發(fā)器參考時(shí)鐘耦合器的最佳選擇

MAX2470/MAX2471是一種靈活的、低成本、高反向傳輸隔離緩沖放大器，用于分立式或基于模塊的VCO設(shè)計(jì)。該應(yīng)用筆記主要敘述了MAX2470/MAX2471在MIMO收發(fā)器中作為參考時(shí)鐘耦合器的基本工作情況和相關(guān)技術(shù)?；竟ぷ髟鞰AX2470/MAX2471是一種靈活的低成本、高反向傳輸隔離緩沖放大器，是分立式或基于模塊的VCO設(shè)計(jì)的理想選擇。兩者都具有50Ω差分輸出，能驅(qū)動(dòng)一路差分(平衡)負(fù)載或兩路獨(dú)立的單端(不平衡) 50Ω負(fù)載。MAX2470提供單端輸入，并有兩個(gè)可選的工作頻率范圍：10MH
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詳析增強(qiáng)電動(dòng)汽車(chē)電池安全性的汽車(chē)安全認(rèn)證器

汽車(chē)電氣化趨勢(shì)已勢(shì)不可擋。這一變革將有助于減少污染和化石燃料的消耗，為環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展帶來(lái)顯著的好處。當(dāng)前的技術(shù)進(jìn)步正在加速電氣化進(jìn)程，如今的電動(dòng)汽車(chē)在一次充電后的續(xù)航里程已可媲美加滿(mǎn)油的傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車(chē)，同時(shí)在加速性能方面也毫不遜色，甚至更勝一籌。全球每年生產(chǎn)約 1 億輛新車(chē)，鋰離子電池的應(yīng)用達(dá)到了空前的規(guī)模。電動(dòng)汽車(chē)(EV)制造商將因此面臨一系列新的挑戰(zhàn)，而妥善應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)已成為行業(yè)的當(dāng)務(wù)之急。首先，安全始終是首要考量，這不僅關(guān)乎車(chē)內(nèi)人員，對(duì)行人和其他車(chē)輛中的人員也同樣重要。其次，隨著使用壽命有限的
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深入探討功率集成電路應(yīng)用中的通用熱學(xué)概念

單芯片功率集成電路的數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)規(guī)定兩個(gè)電流限值：最大持續(xù)電流限值和峰值瞬態(tài)電流限值。其中，峰值瞬態(tài)電流受集成功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的限制，而持續(xù)電流限值則受熱性能影響。數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的持續(xù)電流限值，是基于典型電壓轉(zhuǎn)換、室溫條件和標(biāo)準(zhǔn)演示板工況得出的。在特定工作環(huán)境中，實(shí)施有效的熱設(shè)計(jì)對(duì)于確保集成電路可靠承載所需電流至關(guān)重要。熱概念和參數(shù)為清晰起見(jiàn)，表1列出了穩(wěn)態(tài)電氣參數(shù)與熱參數(shù)的類(lèi)比關(guān)系。表1. 參數(shù)轉(zhuǎn)換從穩(wěn)態(tài)角度來(lái)看，電氣領(lǐng)域中電流從高電位流向低電位，傾向于選擇電阻更低的路徑。類(lèi)似地，在熱領(lǐng)域中
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LTspice操作方法：導(dǎo)入第三方模型

本文將逐步介紹如何將第三方SPICE模型導(dǎo)入到LTspice中。文中涵蓋了兩類(lèi)不同模型的導(dǎo)入過(guò)程：使用.MODEL指令實(shí)現(xiàn)的模型，以及用.SUBCKT實(shí)現(xiàn)的模型。所提供的步驟旨在確保共享原理圖時(shí)能夠具備可移植性。
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SoC，盡在掌握！借PMIC賦能增效

隨著嵌入式系統(tǒng)日益復(fù)雜，傳統(tǒng)微控制器往往難以滿(mǎn)足當(dāng)今的性能需求。于是，設(shè)計(jì)人員紛紛開(kāi)始采用片上系統(tǒng)(SoC)解決方案。這類(lèi)方案雖能提供更高的集成度和處理能力，卻也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，尤其是在電源管理方面。本文將探討為SoC供電的基本考量因素，重點(diǎn)講解如何解讀和運(yùn)用數(shù)據(jù)手冊(cè)及技術(shù)參考手冊(cè)中的關(guān)鍵信息。通過(guò)剖析影響電源方案設(shè)計(jì)的五個(gè)關(guān)鍵條件，本文將提供一份切實(shí)可行的分步指南，助力工程師胸有成竹地將電源管理集成電路(PMIC)集成到基于SoC的系統(tǒng)中。
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開(kāi)關(guān)電源的電壓精度

任何開(kāi)關(guān)電源都無(wú)法提供絕對(duì)精確的輸出。輸出電壓的調(diào)節(jié)精度會(huì)受到多種容差的影響。本文解釋了各種不精確性的來(lái)源，并說(shuō)明了如何確定總?cè)莶罘秶?/li>
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ADI Power Studio?-加速電源管理設(shè)計(jì)

概述ADI Power Studio?是一套面向應(yīng)用工程師及高級(jí)電源設(shè)計(jì)用戶(hù)的綜合性產(chǎn)品系列，能夠有效簡(jiǎn)化整個(gè)電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)流程，提供從初步概念到測(cè)量和評(píng)估的全程支持。Power Studio提供統(tǒng)一、直觀的工作流程，利用準(zhǔn)確的模型來(lái)仿真實(shí)際性能，并自動(dòng)生成關(guān)鍵的物料清單和報(bào)告等內(nèi)容，幫助工程團(tuán)隊(duì)更早做出更優(yōu)決策。ADI Power Studio整合了凌力爾特與美信的元器件，構(gòu)建起統(tǒng)一的器件選型目錄；同時(shí)通過(guò)豐富的工具集成優(yōu)化工作流程，并基于客戶(hù)反饋打造了現(xiàn)代化的用戶(hù)界面(UI)與用戶(hù)體驗(yàn)(UX)。產(chǎn)品系
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Analog Devices發(fā)布ADI Power Studio和網(wǎng)頁(yè)端新工具

●? ?ADI Power Studio將多種ADI工具整合成一個(gè)完整的產(chǎn)品系列，助力簡(jiǎn)化電源管理設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作。●? ?ADI Power StudioTM Planner工具有助于增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)電源樹(shù)規(guī)劃。●? ?ADI Power StudioTM Designer工具可在整個(gè)集成電路(IC)級(jí)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中提供全方位指導(dǎo)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出綜合性產(chǎn)品系列ADI Po
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精準(zhǔn)的主動(dòng)電壓定位控制技術(shù)讓?duì)蘉odule穩(wěn)壓器的輸出電容降低多達(dá)50%

本文介紹一種應(yīng)用于μModule?穩(wěn)壓器的精準(zhǔn)串聯(lián)主動(dòng)電壓定位(AVP)實(shí)現(xiàn)方法。借助該方法，可獲得快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)，大幅節(jié)省電路板空間，實(shí)現(xiàn)全陶瓷電容式解決方案。與分流AVP設(shè)計(jì)相比，這種串聯(lián)AVP可提供非常準(zhǔn)確的負(fù)載線(xiàn)精度，從而大幅提高輸出電壓精度。文中提供了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的測(cè)量結(jié)果。
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隔離型開(kāi)關(guān)電源：選擇正激式轉(zhuǎn)換器還是反激式轉(zhuǎn)換器

在電源管理領(lǐng)域，有多種多樣的應(yīng)用需要隔離型電源轉(zhuǎn)換，例如醫(yī)療設(shè)備、通信設(shè)備和工業(yè)系統(tǒng)，目的是保護(hù)最終用戶(hù)或防止輸入干擾輸出（或兩者兼而有之）。本文將詳細(xì)討論隔離型開(kāi)關(guān)電源(SMPS)，并介紹相關(guān)應(yīng)用中常用的正激式和反激式隔離轉(zhuǎn)換拓?fù)?。我們將研究各種SMPS器件的優(yōu)缺點(diǎn)，以及它們?cè)诓煌β仕较碌倪m用性。本文旨在幫助讀者清楚地了解如何為特定應(yīng)用選擇正確的隔離拓?fù)洹?/li>
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